一种氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管及其制备方法 - Найти технологию

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一种氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管及其制备方法

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简介

本发明公开了一种氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管及其制备方法。本发明的薄膜晶体管具有电子迁移率较高、亚阈值摆幅低、电学稳定性好，开关比高等优点；其制备工艺简单，成本低。

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