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高压驱动电路模块
应用领域：Электронная информация
我有意向
国家/地区
中国
行业领域
Электронная информация
简介
本成果主要是设计出了基于体硅工艺的PDP高压列驱动芯片，该芯片具有低成本、高频率、高可靠性、低功耗等优点。该芯片的工作频率在20MHz以上，上升时间为40ns，下降时间为50ns。芯片的END能力为4000KeV。芯片具有抗LATCHUP的能力，同时基于该芯片还开发设计了列驱动模块，该模块具有183路高压输出。

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