①该计划项目属于计划外自选项目，是公司重点技术开发项目。随着科学的进步及电子产品性能的要求，目前低压电容器产品向着高性能高频低阻抗电极箔铝电解电容器发展。由于其应用的特殊性，要求具有耐高低温、损耗小、阻抗低、频率特性好、承受纹波电流强度大、抗干扰特性佳、耐酸性优等特点，因此对高频低阻抗电极箔特性提出了更高的要求；并且电子整机产品正向短、小、轻、薄方向发展，要求电容器具有体积小、成本低等特点，因此高频低阻抗电极箔表面必须保证较高的比表面积。 与国外先进产品相比，我国高频低阻抗电极箔性能仍具有较大的差距，主要表现在：1、比容低，同进口电极箔相比，同规格电极箔的最高比容要低18%；2、机械强度差，主要表现为折弯性差，易裂箔；3、漏电流大；4、电容量一致性差。其容量偏差有的超出10%； 5、高温寿命试验时间短。105℃高温寿命试验相差3500小时以上。因此我国高性能高频低阻抗电极箔75%依赖进口，开发该产品成了当务之急。 ②本技术区别于传统的低压硬态腐蚀工艺，有不同的腐蚀理念。传统的腐蚀工艺为前段发孔——中间处理活化——2段腐蚀——后处理。这其中要求发孔和二段腐蚀之间需要酸的活化，中间过程不能水洗，否则后面会表面钝化不能腐蚀。而新的技术是多段腐蚀，多段中处理，此中处理与硬态腐蚀的中处理不同，为表面钝化处理，并且每次腐蚀完及中处理完都要水洗。这两种工艺的区别从思路上就完全不同。前者单次腐蚀时间过长，缺点是不容易控制腐蚀过程，并且存在化学腐蚀参与进去，得到的孔洞分布不均匀，腐蚀后得箔率低等。后者分多次腐蚀及中处理，可灵活设计生产线，并且多段短腐蚀能更好的控制腐蚀量，减少纯化学腐蚀的发生，能更充分的利用电化学腐蚀从而达到控制工艺的目的。每段腐蚀通过降低温度与总酸使纯化学腐蚀更难发生，通过灵活多变的电流频率来控制孔洞的大小，相比传统硬态固定50赫兹的电流频率能更好的开发不同电压的产品并且比容更有优势。通过不同的电流波形改变发孔的状态，比传统的正弦波得到更好的产品。比传统工艺的优势还在于，能以相同厚度的铝箔得到更高的比容，或者得到相同比容的产品，使用的原材料更省，用更薄的铝箔代替，节省了成本。序号 检验项目 计量单位 标准要求 实测结果1 抗拉强度 N /cm ≥16.6 242 抗弯强度 回 ≥60 903 静电容量偏差率 % ≤18% ﹢54 表面残留氯根离子含量 mg/m2 ≤1.0 0.46 平均静电容量与静电容量标准的允许偏差 % ﹣5～﹢10 ﹢47 平均静电容量值(21V) μF/cm2 ≥95 100 ③通过药液的铝离子浓度、腐蚀的电流频率以及独有的几种电流的波形几个关键的技术点的配合。使产品达到国内最高水平（既有高比容，同时又有高机械强度），目前产品LS系列可以做到产品的比容与箔厚度一致，如80微米厚的箔，比容可达到80微法/平方厘米，100微米厚的箔，比容达到100微法/平方厘米；高电压产品LT规格，105微米厚箔，135VT比容达到6.0微法/平方厘米，并且波浪边较小，制做电容器产品时其高强度的原因可开更小片（3MM宽）；通过对产品工艺的优化（增加腐蚀级数，减少中处理槽，），使设备运行速度在生产普通产品时达到7－8米/分，低比容高强度产品更是达到10-11米/分；大大提高了生产效率。普遍高于国内机台的生产速度。通过加电过程中关键腐蚀位置的屏蔽的重新设计，新屏蔽注重避免刮边，同时其随箔自适应摆动功能更强，不仅可以整体横向左右平移并且可以S型摆动，在一定程度内适应国产光箔板型差的问题。 ④公司在目前已有五台软态腐蚀生产线，由于产品质量过硬，技术突出，深受市场欢迎，供不应求。计划在明年再追回投入11软态生产线，追加资金4亿5千万，利用技术优势全面接手抢占国内外市场。掌握了核心技术，进行规模性的扩张是顺理成章的事情，依托公司产品的赢利能力，我们有条件进行生产线复制扩张，迅速扩大战果。并且争取公司上市并获得更大更快的发展空间。