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一种新的在半导体中掺入杂质的方法
应用领域：Передовое производство и автоматизация
我有意向
国家/地区
中国
行业领域
Передовое производство и автоматизация
简介
本项目设计开发了一种新的在半导体材料或半成品器件中掺入杂质的方法：在等离子体激励下非高温（0-200℃）和无须外加电压的条件下实现扩散掺杂。依赖于所采用的半导体材料、掺杂杂质和本项掺杂方法的实施条件（时间、温度和功率等），半导体表面杂质浓度达1018-1021/cm3，掺杂深度在5-100 nm范围。

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